该项目共投资6858万元，改造面积达6720m2，新增仪器设备120台套，其中进口71台套。经过建设与改造，完善了力敏传感器、磁敏传感器、热敏传感器以及传感器应用的开发、加工条件，测试和可靠性试验环境以及保障条件。
     在“工程中心”建设的同时，完成了国家科技攻关项目：通用压力传感器工程化、磁敏元件工程化、特种热敏专用补偿网络工程化和传感器产业化技术的研究，形成了较为完善的力敏、磁敏、热敏传感器及变送器中试生产线，进行了批量生产。其中，力敏芯片的加工能力为100万片/年，传感器为2万只/年；InSb薄膜霍尔芯片的生产能力为1000万只/年；低功耗薄膜强磁体磁阻器件为100万只/年；热敏特种专用补偿网络的生产能力为10万块/年；变送器的生产能力为5000台/年。建立了国内唯一完整的硅压阻传感器生产线。
    特点：
    1．工程化的传感器工艺技术具有自主知识产权，获得专利7项，申报专利5项（其中3项发明专利）；
    2．建立了以“工程中心”为技术核心的传感器行业技术服务和扩散的基地；为行业提供关键的生产技术和核心部件；
     3．将有科研成果，经过“中心”的工程化研究，形成可批量生产的工艺技术和产品。
    4．实现了硅基力敏芯片、扩散硅力敏传感器、InSb薄膜霍尔芯片、低功耗薄膜强磁体磁阻器件、热敏特种专用补偿网络和特种工业仪表的中试生产。
     压力和差压传感器推广应用到大连仪表厂、北京瑞普公司和国家重点军事工程，替代国外引进的压力／差压变送器用传感器。工业变送器和特种仪表在市场销售，占有一定的市场份额。薄膜InSb霍尔元件的工艺技术已经转让给南京中旭微电子有限公司，中旭公司利用这套技术已经进行了磁敏传感器的规模化生产。八年来，累计销售各类传感器、变送器和特种仪表几万台，出口硅基力敏芯片40万只，销售收入6100万元。